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Etched 推理芯片低压架构搭配 SRAM+HBM 缓存解决算力降频痛点
7 月 1 日，AI 推理芯片初创企业 Etched 对外公布，自研推理加速器芯片顺利完成 A0 步进流片，配套首批整机机架同步搭建完成。企业手握超 10 亿美元客户订单，叠加 8 亿美元 B 轮融资加持，对应机架产品计划 2026 年夏季正式交付客户。
行业普遍存在算力损耗难题，传统 AI 芯片高负载运行时发热量大，触发热节流降频，真实推理吞吐量仅能达到理论峰值的一半以内。Etched 芯片采用台积电 N4P 先进制程，通过电路、封装、调度算法多层协同优化，打造低压推理架构，计算模块工作电压较主流竞品降低五成以上。依托该设计，芯片运行万亿参数稀疏 MoE 模型时，算力利用率可稳定维持在 80% 以上，大幅缓解发热降频带来的性能损耗。
存储缓存层面，芯片采用片上 SRAM 搭配外置 HBM 的混合方案，辅以自研高带宽互联通道。SRAM 保障低延迟读写，HBM 提供大容量存储，两者结合兼顾响应速度与显存容量，有效提升大模型推理吞吐与交互流畅度。
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